BOD在SVC过电压保护中的应用

1 引言

      随着电力电子技术的发展，尤其是电力电子器件制造技术的发展，在高电压大电流领域，如HVDC、SVC，晶闸管还占有重要的地位。高压半控型器件晶闸管的作用尤为突出，但电力电子器件过电压过电流的能力很弱，在应用中采用增加器件的设计裕度及各种保护措施来增加器件使用的安全性。其中，采用BOD（Break Over Diode）作为晶闸管过电压保护核心器件的方式，由于其快速性、无需工作电源、可靠性高，在SVC晶闸管阀组保护中得到应用。只要保护电路设计参数选择合理，就能对晶闸管进行可靠保护，特别是在晶闸管的串联应用中。

2  BOD简介

2.1 BOD的物理结构

      BOD是一种具有四层结构的晶闸管，是一种晶闸管类的二极管，一般称之为穿通二极管或转折二极管，其结构和P—N—P—N开关二级管类似但没有门级引出线。其剖面结构示意图见图1。BOD被击穿而完全导通，整个过程大约3~5μs。由于在阴极采用了p+扩散的短路发射极结构，因而获得很高的dv/dt。但由于其非对称结构，反向耐压低。
2.2  BOD的特性
(1)伏安特性